一、采購項目信息
1.項目名稱：（略）
2.預(yù)算金額：（略）
二、供應(yīng)商資格條件
1.符合《中華人民共和國政府采購法》第二十二條的規(guī)定
2.需具備其他資質(zhì)：詳見采購文件
三、采購內(nèi)容
（略）名稱：（略）
1玻璃片（BF33）100雙拋，直徑100mm，厚度0.5mm，單切邊貨到驗收合格之日起1年。
2硅片2001.雙拋，直徑100±0.2mm，厚度500±10μm；2.電阻率：>10000Ω.cm；3.氧化厚度：300±10nm；4.晶向<100>。貨到驗收合格之日起1年。
3SOI硅片104英寸，雙拋，沒有背封氧化層，直徑100mm，頂層厚度100μm，頂層N/As，0.001-0.004，絕緣層厚度2μm；底層厚度500μm，高阻（大于10K），晶向<100>貨到驗收合格之日起1年。
4SOI硅片54英寸，雙拋，沒有背封氧化層，直徑100mm，頂層厚度100μm，頂層N/As，0.001-0.004，絕緣層厚度2μm；底層厚度500μm，低阻（0.001-0.004），晶向<100>貨到驗收合格之日起1年。
5SOI硅片104英寸，雙拋，沒有背封氧化層，直徑100mm，頂層厚度30μm，頂層高阻（大于10K），絕緣層厚度2μm；底層厚度300μm，高阻（大于10K），晶向<100>貨到驗收合格之日起1年。
6硅片25雙拋，直徑100mm,厚度500μm,氧化層厚度3μm貨到驗收合格之日起1年。
7硅片504寸雙拋晶向<100>；厚度500μm；電阻率0.001及以下。貨到驗收合格之日起1年。
8硅片2004寸雙拋晶向<100>；厚度500μm；SiO2-300nm；電阻率0.001及以下。貨到驗收合格之日起1年。
9SOI硅片204英寸，雙拋，沒有背封氧化層，直徑100mm，頂層單晶硅厚度400μm，絕緣層厚度2μm，基底層厚度400/500μm，頂層摻雜：N型摻As，頂層電阻率：0.001-0.004ohm-cm，基底層摻雜：本征高阻，基底層電阻率：>10000ohm-cm，基底層和頂層晶向：<100>貨到驗收合格之日起1年。
10硅片204寸雙拋晶向<100>；厚度500μm；SiO2-300nm；電阻率（略）ohm-cm貨到驗收合格之日起1年。
11SOI硅片104英寸，雙拋，沒有背封氧化層，直徑100mm，頂層厚度50μm，絕緣層厚>2μm，基底層厚度400/500μm，頂層摻雜：N型摻As，頂層電阻率：0.001-0.004ohm-cm，基底層摻雜：本征高阻，基底層電阻率：>10000ohm-cm，基底層和頂層晶向：<100>貨到驗收合格之日起1年。
12SOI硅片54英寸，雙拋，沒有背封氧化層，直徑100mm，頂層厚度50μm，絕緣層厚>2μm，基底層厚度400/500μm，頂層摻雜：N型摻As，頂層電阻率：0.001-0.004ohm-cm，基底電阻<10ohm-cm基底層和頂層晶向：<100>貨到驗收合格之日起1年。
四、采購文件獲取：（略）
與項目聯(lián)系人：（略）
五、響應(yīng)文件遞交
按采購人：（略）
六、項目聯(lián)系人：（略）
聯(lián)系人：（略）
電話：（略）
郵箱：（略）
華中科技大學(xué)物理學(xué)院
2024年09月26日